（原标题：利好突袭！三星事迹暴增1462%！）女儿初熟

芯片行业再迎利好音书！

专家存储芯片巨头三星电子当天（7月31日）深远的数据骄慢，该公司第二季度杀青交易利润10.44万亿韩元，约合东谈主民币547亿元，同比暴增1462%，超出市集预期。

三星电子示意，成绩于东谈主工智能的振作发展，公司第二季度高性能高带宽存储器（HBM）的销售额环比增长50%以上。公司蓄意鄙人半年进一步扩大产能，并试验其最新的AI内存居品HBM3E，以称心AI边界的不断增长的需求。公司还浮现，当今正在开发第六代HBM4，并蓄意在来岁上半年运行分娩。

此外，当天好意思股盘前，跟AI高度有关的半导体板块集体飞腾，AMD一度涨超10%，该公司二季度AI芯片销售强盛，数据中心业务收入改造高，同期上调了AI芯片销售相通。其他个股方面，阿斯麦涨8%，英伟达涨近5%，台积电、博通和好意思光涨近4%，高通涨超3%。

三星事迹暴增1462%

当地技术7月31日，三星电子公布了2010年以来最快的净利润增速，因为东谈主工智能(AI)飞腾提振了其半导体部门的收益。

这家专家最大的存储和智高手机制造商深远，按团结财务报表口径计较，本年第二季度，公司销售额为74万亿韩元，同比增长23.44%，超出此前市集预期的73.74万亿韩元；交易利润达到10.44万亿韩元，同比猛增1462%，好于市集预期的9.53万亿韩元，这亦然自2022年第三季度以来，三星电子的季度交易利润初次跨越10万亿韩元。公司第二季度净利润为9.84万亿韩元，同比增长471%。

受东谈主工智能（AI）市集扩大股东存储芯片需求的复苏和芯片价钱上升等利好要素影响，三星电子芯片部门事迹大幅改善，带动全体事迹向好。

姐妹花

三星电子出色的事迹标明，专家计较市集正在开脱疫情后的长久低迷，部分原因是好意思国和中国在东谈主工智能开发方面插足了多量资金。与SK海力士一样女儿初熟，三星电子也提供用于行状器和迁移斥地存储的半导体，并销售多量花费电子居品。

具体来看，第二季度，三星电子致密半导体业务的数字处理决议（DS）部门销售额为28.56万亿韩元，交易利润6.45万亿韩元，好于市集预期。本年第一季度该部门杀青了1.91万亿韩元的交易利润，时隔五个季度从头杀青盈利，而在第二季度的交易利润增幅进一步扩大。

三星电子斥地体验（DX）部门销售额为42.07万亿韩元，交易利润2.72万亿韩元。其中涵盖智高手机的迁移体验（MX）业务销售额环比减少，这主如果因为第二季度是智高手机销售淡季。三星电子方面称，由于智高手机市集的季节性趋势捏续，智高手机的全体市集需求结合下落，尤其是高端市集。天然MX业务的收入结合下落，但Galaxy S24系列在第二季度和上半年的出货量和收入齐比上一代居品杀青了两位数的同比增长。

三星电子展望，跟着对具有东谈主工智能功能的高端居品以及智高腕表等配件的需求不断增长，2024年下半年智高手机的总体需求将比前年同期有所增长。

HBM芯片销量大增

三星电子周三示意，黑丝吧在生成式AI飞腾的股东下，高带宽存储器（HBM）和DDR5（DRAM）等高附加值居品的需求加多。三星电子称：“HBM、DDR5 等以行状器为中心的居品销售扩大，同期公司积极大意生成式AI行状用具高附加值居品的需求，使得事迹较上季度大幅改善。”

数据骄慢，第二季度，三星电子高性能高带宽存储器（HBM）的销售额环比增长了50%以上。三星电子副总裁金在俊（Kim Jae-joon）在财报电话会议上示意：“由于对生成式东谈主工智能的强盛需求，第二季度内存市集络续保捏强盛。HBM的销售额同比增长了50%以上。”公司的8层堆叠HBM3E芯片将在第三季度运行量产。有媒体评述称，这标明，三星电子仍是为这些芯片找到了一个客户，据信是好意思国东谈主工智能芯片巨头英伟达。

金在俊示意：“在上个季度准备批量分娩8层堆叠HBM3E居品时，向主要客户提供了样品，当今正在顺利进行测试。最新的12层堆叠HBM3E居品也将鄙人半年上市。”三星电子示意，当今正在开发第六代HBM4，并蓄意在来岁上半年运行分娩。

三星电子展望，下半年代工业务的迁移需求将出现反弹，东谈主工智能和高性能计较阁下的需求将捏续高增长。

机构看好产业链

近日，TrendForce集邦筹议预测，DRAM（动态随即存取内存）均价在2024年将增长53%，到2025年还将增长35%，从而股东DRAM产业2024年、2025年营收差别达到907亿好意思元（同比增75%）和1365亿好意思元（同比增51%）。

TrendForce集邦筹议示意，4项驱动DRAM营收的要素包括HBM崛起、一般型DRAM居品世代演进、原厂成本开销限缩供给和行状器需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高产业平均价钱。预估2024年HBM将孝敬DRAM位元出货量5%、营收20%。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附涨价值居品的浸透相通有助于提高平均价钱。TrendForce集邦筹议推测，DDR5将差别孝敬2024、2025年Server DRAM位元出货量40%、60%—65%，LPDDR5/5X会孝敬2024、2025年Mobile DRAM（作为式内存）位元出货量50%和60%。

TrendForce集邦筹议示意，存储器产业营收创记录，原厂将有充足现款流加快投资。预估2025年DRAM、NAND Flash产业成本开销差别年增25%、10%，且有契机上修。此外，存储器分娩范畴擢升将带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，但违犯的，存储器价钱飞腾将加多电子居品成本，ODM/OEM（原始假想制造商/原始斥地制造商）业者较难全齐将成本反馈在零卖价上，利润将被压缩。

开源证券分析师罗通指出，跟着行业周期稳步复苏，2024年—2025年存储板块营收范畴徐徐扩大，国内存储芯片/模组/接口芯片等次序公司有望充分受益。

国泰君本分析师舒迪近日示意，国内多家芯片假想公司发布事迹预增公告，事迹超预期公司主要为存储的兆易改造、行状器的澜起科技、数字SoC的晶晨和瑞芯微等。受益于AI和AI端侧换机周期驱动，存储和AI下流最初复苏，手机PC、AIoT，通用行状器的复苏节律捏续，有望于第三季度捏续朝上。

另外，芯片厂商SK海力士日前深远的财报骄慢，公司2024财年第二季度团结收入为16.42万亿韩元，再创历史新高，同比增长125%，环比增长32%；交易利润为5.47万亿韩元，自2018年以来再次回到5万亿韩元水平。国泰君安示意，海力士第二季度收入改造高，营运利润大幅改善，主要源于存储涨价和AI需求（HBM、DDR5、企业级SSD等）的拉动。海力士事迹改造高强化存储周期趋势和HBM的需求趋势，看好国产AI算力的自主可控、HBM斥地公司的产业发展以及利基存储的捏续涨价。

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